ایتنا - حافظه DRAM جدید 30 درصد سریعتر از مدل قبلی حافظههای 8 گیگابیتی LPDDR4 مبتنی بر فناوری 20 نانومتری عملی میکند.
نخستین رم ۶ گیگابایتی آماده ورود به نسل جدید گوشیهای هوشمند
1 مهر 1394 ساعت 11:32
ایتنا - حافظه DRAM جدید 30 درصد سریعتر از مدل قبلی حافظههای 8 گیگابیتی LPDDR4 مبتنی بر فناوری 20 نانومتری عملی میکند.
دسامبر ۲۰۱۴ شرکت سامسونگ مدل جدید حافظههای DRAM را معرفی کرد و توضیح داد که این محصول به نسل جدید گوشیهای هوشمند امکان میدهد حافظه رم ۴ گیگابایتی در اختیار بگیرند. هماکنون کمتر از یک سال از آن زمان سپری شده است و سامسونگ این بار خود را برای عرضه رم ۶ گیگابایتی مخصوص گوشیهای هوشمند آماده میکند.
به گزارش ایتنا از شماران سیستم به نقل از پیسیورلد، افزایش حافظه رم در حالی صورت میگیرد که سامسونگ قصد تولید انبوه حافظههای ۱۲ گیگابیتی LPDDR4 با قابلیت مصرف کم انرژی و افزایش دوبرابری توان پردازشی را دارد تا از این طریق خانواده حافظههای DRAM مخصوص دستگاههای موبایلی را بهروز کند.
سامسونگ توضیح داد حافظه DRAM جدید ۳۰ درصد سریعتر از مدل قبلی حافظههای ۸ گیگابیتی LPDDR4 مبتنی بر فناوری ۲۰ نانومتری عملی میکند و توان آن را میتوان سریعتر از حافظههای DDR۴ DRAM مخصوص رایانههای شخصی دانست.
کد مطلب: 38120
آدرس مطلب: https://www.itna.ir/news/38120/نخستین-رم-۶-گیگابایتی-آماده-ورود-نسل-جدید-گوشی-های-هوشمند