ایتنا- محققان دانشگاه MIT یک روش جدید برای ساخت تراشه‌ها ابداع کردند که در آینده می‌تواند منجر به تولید تراشه‌های بسیار نازک‌تر و انعطاف‌پذیرتر برای رایانه‌ها شود.

در تراشه‌های موجود، لایه‌های بسیار نازکی که مدارهای الکترونیکی در قالب طرح‌های دقیق روی آن‌ها ترسیم شده است، به ترتیب روی یکدیگر قرار می‌گیرند.


اما در تکنیک جدید برای اولین‌بار مواد مختلفی روی یک لایه تراشه قرار می‌گیرند و فرآیند تولید تراشه به گونه‌ای تغییر یافته است که می‌توان تمام مؤلفه‌های موردنیاز مدارهای الکترونیکی را برای تولید یک کامپیوتر، درون یک تراشه قرار داد.

در این شیوه لایه‌های مواد تنها ۱ تا ۳ اتم ضخامت دارند و یکی از مهم‌ترین آن‌ها گرافین است.

در واقع در این فرآیند می‌توان تمام عناصر گروه ۶ جدول تناوبی شامل کروم، مولیبدن و تنگستن و عناصر گروه ۱۶ جدول تناوبی شامل گوگرد، سلنیم و تلوریم را با یکدیگر ترکیب کرد و از آن جا که اغلب این مواد نیمه رسانا هستند، در ساخت لایه‌های بسیارنازک مدارهای الکتریکی، بسیار مفید هستند.

محققان MIT یک لایه از گرافین را که روی یک لایه متخلخل از جنس سیلیکون قرار دادند. سپس ماده‌ای موسوم به PTAS را در مجاورت سیلیکون قراردادند تا از واکنش شیمیایی بین مولکول‌های آن‌ها، لایه‌ای از دی سولفید مولیبدن روی تراشه و در فضاهای خالی سیلیکون، شکل بگیرد. با استفاده از همین رویکرد می‌توان لایه‌های مختلفی از مواد را درون یک تراشه قرارداد.

موادی که با استفاده از این شیوه ساخته می‌شوند، کاربردهای متعددی دارند و ویژگی‌هایی از جمله انعطاف‌پذیری و قابلیت حمل بالا آن‌ها را به گزینه فوق‌العاده‌ای برای تولید نسل جدید کامپیوترها تبدیل می‌کند.

مرحله بعدی، استفاده از این فناوری برای ساخت پردازنده‌های جدید با کمک نسل جدید ترانزیستورها موسوم به tunnelling-transistor است.گزارش کامل این تحقیقات در نشریه Advanced Materials منتشر شده است.