توشیبا نسل جدیدی از فلش مموری‌های 3D را که ظرفیت آنها ۶۵% بیشتر از نمونه‌های پیشین است، روانه بازار خواهد کرد.
این فلش مموری‌های جدید ۳D، با فناوری ناند (NAND) ساخته شده‌ و دارای شصت و چهار لایه سلولی هستند. این در حالی ست که نمونه‌های اخیر تنها از چهل و هشت لایه سلولی تشکیل شده بوده‌اند.


به گزارش ایتنا از رایورز به نقل از آی.تی‌ورلد، این امر منجر به افزایش ظرفیت هر یک از ویفرهای سیلیکونی شده و در نتیجه، باعث کاهش هزینه‌ها به ازای هر یک بیت خواهد شد.
از سایر ویژگی‌های این فلش مموری جدید می‌توان به ظرفیت ذخیره‌سازی سه بیت اطلاعات در هر سلول و نیز توانایی ذخیره‌سازی پنجاه و یک گیگابایت اطلاعات در هر تراشه اشاره کرد.


به گفته مدیرعامل شرکت توشیبا، این فناوری جدید می‌تواند بهره‌وری از اس‌اس‌دی‌های (SSD) شرکت و مصرف کنندگان را افزایش دهد. میزان انبوهی از دستگاه‌های تراشه‌ای پانصد و دوازده گیگابایتی، از نیمه دوم سال ۲۰۱۷ مورد بهره‌برداری قرار خواهند گرفت.

نقطه عطف دیگر در خصوص فناوری جدید این فلش مموری‌ها، ظرفیت بالای صنعتی برای ایجاد تراشه یک ترابایتی است که می‌تواند شانزده طرح معماری را در یک بسته فشرده جای دهد. بنا به گفته مسئولان شرکت توشیبا، این تراشه یک ترابایتی از اواخر ماه آوریل فعال خواهد شد.

با توجه به گزارش‌های معتبر اخیر، کمپانی‌های فاکسکان (Faxconn)، مایکرون (Micron) و اس‌کی هینکس (SK Hynix) از خریداران این فلش مموری هستند.

هنگامی که این خبر برای اولین بار در ماه ژانویه اعلام شد، توشیبا مجبور به فروش کمتر از ۲۰%سهام تجاری شرکت شد تا پول نقد بسیاری در اختیار داشته باشد. لیکن در جلسه هیئت مدیره این کمپانی این چنین اعلام شده که بیش از ۵۰% از سهام کمپانی توشیبا برای راه‌اندازی این فلش مموری به مزایده گذاشته شده است.