ایتنا - این تکنولوژی می‌تواند مقدار انرژی مورد استفاده برای استخراج (ماینینگ) رمزارزها را کاهش داده و به طور بالقوه به چاره‌جویی درباره تغییرات عمده اقلیمی مرتبط با ارزهای دیجیتال مبتنی بر بلاک‌چین کمک کند.

بیشتر افراد نیاز دارند که هر یک یا دو روز گوشی‌های هوشمندشان را شارژ کنند، ولی یک پیشرفت بزرگ علمی جدید که از سوی پژوهشگران سامسونگ و IBM ارائه شده‌است می‌تواند این وضعیت را تغییر دهد. این دو شرکت با همکاری هم یک طراحی نیمه‌هادی ارائه کرده‌اند که آن را ترانزیستور اثر میدان غیرورقه‌ای انتقال-عمودی (VTFET) نامیده‌اند، که یک معماری تراشه‌ای جدید است که، در مقایسه با تکنولوژی finFET متداول‌تر، می‌تواند استفاده از انرژی را تا 85 درصد کاهش داده یا عملکرد باتری را دو برابر کند.
 
به گزارش ایتنا و به نقل از اسلش‌گیر، پژوهشگران IBM توضیح می‌دهند که بیشتر تراشه‌های مدرن مبتنی بر معماری ترانزیستورهای اثر میدان انتقال-جانبی (FETها) هستند، که مثالی از آن ترانزیستور اثر میدان همراه باله (finFET) است. این طراحی اخیرالذکر دربرگیرنده قرار دادن ترانزیستورها بر روی یک سطح ویفر می‌شود، در حالی که این طراحی جدید VTFET بر مبنای چیدمان ترانزیستورها به صورت عمود بر ویفر است.
 
به گفته این شرکت این وضعیت موجب ایجاد یک جریان عمودی می‌شود که برخی از محدودیتهای موجود را دور می‌زند، حداقل وقتی نوبت به چیزهایی همچون سایز تماس و طول گیت ترانزیستور برسد. به این ترتیب، بهینه‌سازی از طریق کاهش مقدار انرژی استفاده‌شده و ا افزایش سطح عملکرد امکان‌پذیر می‌شود.