اين فناوري جديد كه جايگزين فناوري‌هاي ساخت 90-نانومتري خواهد شد، مدارهاي فشرده‌تر، كارايي بالاتر و مصرف كمتر را براي دستگاه‌هاي سيار به ارمغان خواهد آورد.
يكي از عوامل مهم در كاهش مصرف تراشه‌ها، طراحي پيشرفته‌تر ترانزيستورها و كاهش نشت توان مي‌باشد كه هنگام غيرفعال بودن آنها نيز رخ ميدهد.
نشت توان در تراشه‌هاي توليد شده تحت فناوري 65-نانومتري، حدود 1000 برابر كمتر از تراشه‌هاي كنوني است.
با گذر از مرز يك بيليون ترانزيستور در برخي از تراشه‌ها، اكنون زمان تقويت و توسعه خود ترانزيستورها رسيده است و اينتل با دستيابي به اين فناوري، تعداد ترانزيستورهاي موجود در تراشه‌ها را به دو برابر افزايش خواهد داد.
طول گيت اين ترانزيستورها تنها 35 نانومتر بوده و كوچك‌ترين ترانزيستورهاي CMOS در توليد انبوه مي‌باشند. طول گيت پيشرفته‌ترين ترانزيستورهاي موجود در پنتيوم 4، 50 نانومتر مي‌باشد.
