ایتنا - فناوری جدید RRAM نامیده میشود و میتواند ظرفیتی برابر با یک ترابایت روی یک فضای کوچک برای دستگاههای موبایلی ارایه دهد.
محققان دانشگاه Rice موفق به ارائه فناوری جدیدی شدهاند که به موجب آن حافظههای RAM مخصوص دستگاههای موبایلی با ظرفیت بالاتر و به صورت گستردهتر تولید میشوند.
به گزارش ایتنا از رایورز، فناوری جدید ارائه شده توسط این محققان "دسترسی حافظهای تصادفی مقاوم"(RRAM) نامیده میشود و میتواند ظرفیتی برابر با یک ترابایت روی یک فضای کوچک برای دستگاههای موبایلی ارائه دهد.
البته کارشناسان اعلام کردند که در شرایط کنونی تولید این حافظه موبایلی با قیمت بسیار گران انجام میشود و به همین خاطر هنوز نمیتوان آن را به صورت گسترده وارد بازار کرد.
در حال حاضر بیشترین حافظه داخلی که مبتنی بر کارتهای microSD برای دستگاههای موبایلی ارایه میشود ۱۲۸ گیگابایت ظرفیت دارد و این محصول را چندی پیش شرکت Sandisk روانه بازار کرده است.
اما محققان موفق به ارائه روش جدیدی شدهاند که بر پایه آن حافظه RAM مقاوم را حرارتهای بالا تولید میکنند تا برای تولید این حافظهها دیگر نیازی به محیطهای سرد نباشد.
در این بررسیها همچنین روشی ارائه شده است که به موجب آن حافظهها در دستگاههای موبایلی انرژی بسیار کمی مصرف میکنند و قادرند با ولتاژ پایین به فعالیت خود ادامه دهند.
"جیمز تور"(James Tour) مدیر این تحقیقات اعلام کرد: «این حافظه جدید بر خلاف محصولات کنونی که بهصورت تکقطبی ارائه میشوند سیستم مقاومتی بالاتری دارد.»
او در ادامه گفت: «تاکنون روی هیچ مادهای در کره زمین به اندازه اکسید سیلیکون مطالعه علمی انجام نشده است و ما هماکنون با اتکا به همین ماده موفق شدهایم بزرگترین تحول در حافظههای موبایلی را بهوجود آوریم.»
این یک نوع حافظه ی تصادفی مقاومتی است و نه مقاوم.
این تکنولوژی بر اساس شرکت دادن خرابی های تولید شده در اکسید سیلیکون یا همان sio2 است بدین صورت که باعث بوجود آمدن جای خالی شده ، بطوریکه حرکت یون ها و جای خالی می تواند موجب حرکت الکترون و حفره شود.
این تکنولوژی بر اساس شرکت دادن خرابی های تولید شده در اکسید سیلیکون یا همان sio2 است بدین صورت که باعث بوجود آمدن جای خالی شده ، بطوریکه حرکت یون ها و جای خالی می تواند موجب حرکت الکترون و حفره شود.