ایتنا- شرکتهای اینتل و میکرون مدعی شدهاند که با روشی ویژه موفق به ایجاد یک انقلاب در رده حافظههای کامپیوتری شده و توانستهاند حافظههایی هزار برابر نیرومندتر را تولید کنند.
شرکتهای اینتل و میکرون مدعی شدهاند که با روشی ویژه موفق به ایجاد یک انقلاب در رده حافظههای کامپیوتری شده و توانستهاند حافظههایی هزار برابر نیرومندتر را تولید کنند.
به گزارش ایتنا از رایورز از وبسایت خبری DigiTimes، دو شرکت بزرگ و نامی اینتل و میکرون موفق شدهاند تا با همکاری یکدیگر به ارائه یک ساختار جدید در حافظهها دست بزنند که پس از مدتها این رده در کامپیوترها را با تغییری بسیار بزرگ روبرو خواهد کرد.
این ساختار که توسط این دو شرکت با نام Xpoint سهبعدی نامیده شده است قرار است در ماههای پایانی سال جاری میلادی توسط تعداد محدود و منتخبی از کاربران، مورد آزمایش قرار بگیرد و پس از آن نیز هر یک از شرکتهای اینتل و میکرون برای ساخت محصولاتی مجزا بر پایه این فناوری اقدام خواهند کرد.
جالب است بدانید که از سال ۱۹۸۹ میلادی تا به امروز، رده جدیدی از حافظه معرفی نشده بوده است و آخرین رده معرفی شده یعنی NAND flash، تا به امروز در ساخت حافظهها مورد استفاده قرار میگرفته است ولی با توجه به رشد بسیار زیاد نیاز به حافظه در دنیای سرسامآور کامپیوترهای امروزی، مواجهه با یک جهش دیگر امری بدیهی و اجتناب ناپذیر به نظر میرسید.
شایان ذکر است که معماری و عملکرد این حافظه به نحوی خواهد بود که میتواند به میزان هزار برابر نیرومندتر از حافظههای NAND عمل کند و به همین دلیل نیز میتوان از آن در رده مقیاسی زتا بایت استفاده کرد. جالب است بدانید که هر زتابایت برابر با ۱۰۲۴ به توان ۷ است در حالی که این میزان برای ترابایت برابر با ۱۰۲۴ به توان ۴ است.